Les semi-conducteurs de puissance constituent le noyau fondamental des dispositifs électroniques et électriques, comprenant principalement des composants discrets tels que les FRD, les MOSFET et les IGBT. La frontière technologique actuelle évolue vers des -matériaux semi-conducteurs à large bande interdite-tels que le SiC (carbure de silicium) et le GaN-sur-Si (nitrure de gallium sur silicium)-qui peuvent améliorer considérablement les fréquences de commutation des appareils, leurs capacités de tenue en tension et leur efficacité.
Au niveau du système, « l'intelligentisation » des appareils électroniques et électriques repose sur des circuits intégrés et des architectures logicielles avancées. Il s'agit notamment de circuits intégrés à signaux mixtes-capables de prendre en charge des fonctionnalités complexes, ainsi que de technologies de virtualisation de microcontrôleurs multi-multicœurs adaptées aux secteurs à haute-fiabilité tels que l'industrie automobile. Les écosystèmes logiciels correspondants adhèrent aux normes de l'industrie-telles que AUTOSAR CP (Classic Platform)-et sont conçus pour s'intégrer de manière transparente aux systèmes d'exploitation en temps réel compatibles POSIX-- (par exemple, RT-Thread).
Pour obtenir une densité de puissance, une fiabilité et une miniaturisation plus élevées, des technologies avancées de conditionnement et d’intégration sont indispensables. Par exemple, la technologie de conditionnement des modules d'alimentation intégrés aux PCB-implique l'intégration directe de puces d'alimentation dans la structure multicouche d'un PCB ; cette approche raccourcit considérablement les boucles de puissance, réduit l'inductance parasite (la ramenant potentiellement à seulement 25 % de celle trouvée dans les produits traditionnels) et améliore la fiabilité thermomécanique.
